낸드플래시란? RAM 뜻 (nand flash with hynix)

낸드플래시란? 뜻 (nand flash with hynix)

D램과 함께 낸드플래시는 반도체 시장에서 정말 많이 쓰이는 용어입니다.

오늘은 NAND Flash 낸드 플래시에 대해 무슨뜻인지 낸드플래시란 뭔지 알아보겠습니다.

NAND Flash 낸드 플래시는 DRAM과 마찬가지로 삼성전저와 SK하이닉스가 글로벌시장에서 큰 점유율을

차지하고 있습니다.

NAND Flash 낸드 플래시란?

오늘날 우리가 스마트폰, PC, 노트북 등에 문서, 사진, 동영상 등을

저장하고 읽을 수 있는 이유는 이 '메모리 반도체' 때문입니다.

메모리 반도체는 크게 두 가지로 나뉘는데요. 

바로 RAM과 ROM입니다.

초등학교나 중학교때 많이 배우셨죠?

RAM은 Random Access memory의 약자입니다.

휘발성으로 전원이 꺼지면 저장된 데이터도 지워지는 '휘발성 메모리'입니다.

반면, ROM은 Read Only Memory의 약자입니다. 읽는 것만 가능한 메모리로 전원이 꺼져도 남아있으나 쓰

기가 안됩니다.

낸드 플래시란? 뜻

그렇다면 NAND Flash는 어느 메모리에 속할까요?

정답은 2개 중 하나죠.

메모리 / 비메모리

Nand flash 메모리는 ROM에 속합니다.

비휘발성 메모리라고 했죠.? 

이 Nand flash는 DRAM과 구조적으로 차이가 있습니다.

1개의 Tr과 1개의 capacitor로 구성된 DRAM은 1개의 Tr로만 구성된 Nand flash와 차이가 있습니다.

또한 Floating gate라는 중요한 역할을 하는 층이 존재하는데 이는 저장역할을 하는 아주 중요한 층입니다.

즉, Tunneling 한 전자들은 Floating Gate에 남아있게 되는 구조가 낸드플래시 원리입니다. 

외에도 NOR 타입도 존재하는데요.

NAND보다 읽는 속도가 빠른 편이지만

1개의 cell씩 기록해야 하므로 저장이 느리고 밀도가 NAND flash보다 떨어지고 가격이 비쌉니다.

​즉, 낸드플래시는 파일을 마구 쌓아놓는다는 개념이라면 

NOR은 하나하나 정리해서 쌓아뒀다고 가정할 수도 있습니다.​

국내에서는 NAND flash를 많이 쓰고 있습니다.

USB 메모리는 99.9%가 낸드플래시입니다.

낸드플래시 Write(쓰기)와 Read(읽기)

NAND Flash의 데이터 쓰기

Control gate에 강한 전압을 걸어주는 것으로 시작됩니다.

이때 기판의 전자가 Tunneling oxide를 통과하여 Floating gate로 이동하고

Tunneling oxide 층은 SiO2이며 ‘강한’ 전압을 걸어주었기 때문에 전자가 통과가 가능해집니다.

 Floating gate에 전자를 가둬두는 것을 Program 한다고 하며 0으로 인식이 됩니다.

반대격인 Floating gate의 전자를 내보내는 과정을 Erase라고 하며 1로 인식됩니다.

NAND Flash의 데이터 읽기

문턱 전압으로 결정되는 원리입니다.

하나의 Cell의 Nand Flash가 일정전압에서 Channel을 형성해어 Tr이 On 된다면,

Control gate에 전압을 걸어 Floating gate에 전자를 가둔다면 문턱전압이 높아져

Tr도 off 됩니다.  이 차이를 이용해 데이터를 읽기가 가능해집니다.

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